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真空科学与技术学报

英文名称:Journal Of Vacuum Science & Technology A   国际简称:J VAC SCI TECHNOL A
《Journal Of Vacuum Science & Technology A》杂志由AVS Science and Technology Society出版社出版,本刊创刊于1983年,发行周期Bimonthly,每期杂志都汇聚了全球材料科学领域的最新研究成果,包括原创论文、综述文章、研究快报等多种形式,内容涵盖了材料科学的各个方面,为读者提供了全面而深入的学术视野,为材料科学-MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS事业的进步提供了有力的支撑。
中科院分区
材料科学
大类学科
0734-2101
ISSN
1520-8559
E-ISSN
预计审稿速度: 一般,3-6周
杂志简介 期刊指数 WOS分区 中科院分区 CiteScore 学术指标 高引用文章

真空科学与技术学报杂志简介

出版商:AVS Science and Technology Society
出版语言:English
TOP期刊:
出版地区:UNITED STATES
是否预警:

是否OA:未开放

出版周期:Bimonthly
出版年份:1983
中文名称:真空科学与技术学报

真空科学与技术学报(国际简称J VAC SCI TECHNOL A,英文名称Journal Of Vacuum Science & Technology A)是一本未开放获取(OA)国际期刊,自1983年创刊以来,始终站在材料科学研究的前沿。该期刊致力于发表在材料科学领域各个方面达到最高科学标准和具有重要性的研究成果。全面反映该学科的发展趋势,为材料科学事业的进步提供了有力的支撑。期刊严格遵循职业道德标准,对于任何形式的抄袭行为,无论是文字还是图形,一旦查实,均可能导致稿件被拒绝。

近年来,来自USA、Japan、GERMANY (FED REP GER)、South Korea、France、Sweden、CHINA MAINLAND、England、Finland、Netherlands等国家和地区的研究者在《Journal Of Vacuum Science & Technology A》上发表了大量的高质量文章。该期刊内容丰富,包括原创研究、综述文章、专题观点、论文预览、专家意见等多种类型,旨在为全球该领域研究者提供广泛的学术交流平台和灵感来源。

在过去几年中,该期刊保持了稳定的发文量和综述量,具体数据如下:

2014年:发表文章221篇、2015年:发表文章273篇、2016年:发表文章241篇、2017年:发表文章232篇、2018年:发表文章227篇、2019年:发表文章218篇、2020年:发表文章293篇、2021年:发表文章269篇、2022年:发表文章254篇、2023年:发表文章333篇。这些数据反映了期刊在全球材料科学领域的影响力和活跃度,同时也展示了其作为学术界和工业界研究人员首选资源的地位。《Journal Of Vacuum Science & Technology A》将继续致力于推动材料科学领域的知识传播和科学进步,为全球材料科学问题的解决贡献力量。

期刊指数

  • 影响因子:2.4
  • 文章自引率:0.1034...
  • Gold OA文章占比:27.03%
  • CiteScore:5.1
  • 年发文量:333
  • 开源占比:0.2737
  • SJR指数:0.569
  • H-index:100
  • SNIP指数:0.957
  • OA被引用占比:0.2168...
  • 出版国人文章占比:0.03

WOS期刊SCI分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS SCIE Q3 13 / 23

45.7%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 96 / 179

46.6%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS SCIE Q3 12 / 23

50%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

51.12%

中科院分区表

中科院SCI期刊分区 2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学 3区
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS 材料科学:膜 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 3区

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore 排名
CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
5.1 0.569 0.957
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q2 135 / 434

69%

大类:Physics and Astronomy 小类:Surfaces and Interfaces Q2 19 / 57

67%

大类:Physics and Astronomy 小类:Surfaces, Coatings and Films Q2 45 / 132

66%

学术指标分析

影响因子和CiteScore
自引率

影响因子:指某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。影响因子越高,代表着期刊的影响力越大 。

CiteScore:该值越高,代表该期刊的论文受到更多其他学者的引用,因此该期刊的影响力也越高。

自引率:是衡量期刊质量和影响力的重要指标之一。通过计算期刊被自身引用的次数与总被引次数的比例,可以反映期刊对于自身研究内容的重视程度以及内部引用的情况。

年发文量:是衡量期刊活跃度和研究产出能力的重要指标,年发文量较多的期刊可能拥有更广泛的读者群体和更高的学术声誉,从而吸引更多的优质稿件。

期刊互引关系
序号 引用他刊情况 引用次数
1 J VAC SCI TECHNOL A 658
2 J APPL PHYS 549
3 APPL PHYS LETT 448
4 THIN SOLID FILMS 363
5 PHYS REV B 338
6 SURF COAT TECH 277
7 CHEM MATER 221
8 APPL SURF SCI 202
9 J ELECTROCHEM SOC 168
10 J VAC SCI TECHNOL B 141
序号 被他刊引用情况 引用次数
1 J VAC SCI TECHNOL A 658
2 THIN SOLID FILMS 321
3 SURF COAT TECH 303
4 APPL SURF SCI 280
5 JPN J APPL PHYS 253
6 J APPL PHYS 217
7 J PHYS CHEM C 201
8 VACUUM 185
9 CHEM MATER 155
10 ACS APPL MATER INTER 149

高引用文章

  • Review Article: Stress in thin films and coatings: Current status, challenges, and prospects引用次数:72
  • Status and prospects of plasma-assisted atomic layer deposition引用次数:26
  • Practical guides for x-ray photoelectron spectroscopy: First steps in planning, conducting, and reporting XPS measurements引用次数:23
  • Functional model for analysis of ALD nucleation and quantification of area-selective deposition引用次数:19
  • Review Article: Catalysts design and synthesis via selective atomic layer deposition引用次数:16
  • Paradigm shift in thin-film growth by magnetron sputtering: From gas-ion to metal-ion irradiation of the growing film引用次数:14
  • Review Article: Atomic layer deposition for oxide semiconductor thin film transistors: Advances in research and development引用次数:14
  • Atomic layer deposition of silicon-based dielectrics for semiconductor manufacturing: Current status and future outlook引用次数:13
  • Review Article: Crystal alignment for high performance organic electronics devices引用次数:12
  • Vapor-deposited octadecanethiol masking layer on copper to enable area selective Hf3N4 atomic layer deposition on dielectrics studied by in situ spectroscopic ellipsometry引用次数:11
若用户需要出版服务,请联系出版商:A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。